TSMC, yeni 1.4 nm sınıfı A14 yarı iletken süreci ile dikkate değer bir performans ve verimlilik artışı hedefliyor. Şirket, paylaştığı teknik detaylar ile A14 sürecinin mevcut 2 nanometre (N2) platformunu geride bırakacak önemli iyileştirmeler sunacağını ifade etti. Deneme üretimlerinde beklenenin üzerinde verimlilik elde edilmesi, TSMC’nin geliştirme sürecinin planların ilerisinde olduğunun bir göstergesi. Firma, A14 sürecini 2028’de üretime
TSMC A14’ten emin
Analist Ray Wang’ın sağladığı bilgilere göre, A14, mevcut N2 platformuna göre aynı güç seviyelerinde yüzde 15’e kadar performans artışı sağlayacak. Benzer hızlarda karşılaştırma yapıldığında ise güç tüketiminde yüzde 30’a kadar azalmalar mümkün olacak. Bu ilerlemeler, TSMC’nin ikinci nesil GAA nanosheet transistörleri ve NanoFlex Pro dizayn standardı sayesinde mümkün olacak. Yoğunluk açısından A14, N2’ye göre yüzde 20’ye kadar daha fazla transistör yerleştirilebilmesine olanak tanıyacak.
Samsung ve Intel, gelecekteki transistör mimarilerine dair yol haritalarını açıklamış olsa da ayrıntılı performans ve verimlilik verileri henüz paylaşılmadı. TSMC, A14 ile rakiplerinin birkaç yıl önünde olduğunu ve 2 nanometre sonrası teknolojilere hazır olduğunun altını çiziyor.
TSMC’nin A14’e dair güven vermesi yalnızca şirketin üretim teknolojisinin olgunluğuyla ilgili değil. Yeni süreç, Apple, Nvidia ve AMD gibi önemli müşterilerin ürün performansı ve enerji verimliliği üzerinde doğrudan etkisi olacak.
