Samsung’un Vites Yükseltmesi: 3 GB, 40 Gbps GDDR7 Bellekler Yolda
3 GB 40 Gbps GDDR7 bellekler geliyor
Samsung’un 12 nm (10 nm sınıfı) DRAM sürecinden üretilen yeni belleği, 24 Gb yoğunluğa ve 3 GB kapasiteye sahip tek yongalı bir modül sunuyor. Bu yapı, hem hız hem de kapasite açısından gelecekteki ekran kartları için önemli bir adım teşkil ediyor. Samsung ayrıca 36 Gbps hızındaki örneklerini de dağıtmaya başladı. Ayrıca, 28 Gbps hızındaki 3 GB GDDR7 modülleri de seri üretim aşamasına geçmiştir.
Samsung’un üretim kapasitesi, NVIDIA’nın yaklaşan RTX 50 SUPER ara güncellemesi için gerekli VRAM talebini karşılayacak seviyeye ulaşabilir. Böyle bir modelde, mevcut hali hazırda seri üretimi tamamlanmış modüllerin kullanılma olasılığı daha yüksek. GDDR7 tarafındaki hız artışlarının önümüzdeki ekran kartı nesline nasıl yansıyacağı ise merak ediliyor.
Ayrıca, sektörde hızlanan tek üretici Samsung değil. SK Hynix’in ISSCC 2026’da tanıtmayı planladığı 24 Gb kapasiteli 48 Gbps GDDR7 modülü da mevcut. Bu modül, simetrik çift kanallı tasarımı ve güncellenmiş iç arayüzleri ile GDDR7 için önceden beklenen 32 ila 37 Gbps sınırlarını aşmayı hedefliyor. Pin başına hız, günümüz 28 Gbps belleklerine göre %70’ten fazla artış sağlıyor ve yonga başına bant genişliğini 112 GB/sn’den 192 GB/sn’ye yükseltiyor. Ancak yeni modellerin seri üretime girmesi için biraz daha beklemek gerekecek.
