Samsung’dan HBM4 Hamlesi: 1c DRAM Üretimi Hızlanıyor

Samsung’un HBM Stratejisi Belirlendi

Yeni veriler, Samsung’un Pyeongtaek’teki P4 tesisinde kurduğu üretim hattında 1c DRAM için hazırlıkların tamamlanmak üzere olduğunu gösteriyor. Şirketin bu belleklerde %30-40 verimlilik elde ettiği, ancak bu oranın hızla arttığı bildirilmektedir.

Hatırlatmak gerekirse, 1c DRAM, Samsung’un önceki HBM3E için kullandığı 1a DRAM’den iki nesil ileri bir teknoloji sunuyor. Önemli bir detay ise rakipleri SK hynix ve Micron’un şu anda 1b DRAM tabanlı HBM3E çözümleri sunarken, Samsung’un doğrudan HBM4’e odaklanmasıdır. Yeni DRAM tasarımında çevresel devre hat genişliği arttırılarak daha kararlı bir yapı hedeflenmiş; bu da maliyet yerine güvenilirliğe odaklanan bir stratejiyi göstermektedir.

Öte yandan, daha önce Samsung Semiconductor Başkan Yardımcısı Jeon Young-hyun, Samsung’un HBM pazarındaki gecikmeyi kabul ettiğini belirtmiş ve HBM4 ile özelleştirilmiş çözümlerle bu kaybı telafi edecek altyapının kurulduğunu vurgulamıştır. Jeon’a göre, şirket artık yeni nesil belleklerde hataları tekrarlamamak için sistematik ve planlı bir yaklaşım sergileyecek.

Samsung’un bu agresif yeniden yapılanması, sadece HBM4 pazarına odaklanmakla kalmayacak. Şirket, DRAM tasarımını ve üretim süreçlerini entegre şekilde yöneterek, rakiplerinin aksine TSMC gibi harici üreticilere bağımlı kalmadan özelleştirilmiş taleplere doğrudan yanıt verebilecek bir konuma gelmeyi hedefliyor. Bu da, Samsung’u yapay zeka pazarında daha rekabetçi bir oyuncu hâline getirebilir.