Samsung, HBM4e ile 13 Gbps Hız Rekoruna Gidiyor
Samsung, yüksek bant genişlikli bellek (HBM) alanında hız kesmeden ilerliyor. Micron’un 2,8 TB/s hızını aşan HBM4 örneklerini tanıtmaya başlamasının hemen ardından, şirket 2025 OCP Global Summit’te HBM4e teknolojisi hakkında iddialı açıklamalar yaptı.
Samsung, HBM4e’de çıtayı yükseltiyor
Samsung, HBM4e belleği için pin başına 13 Gbps’yi aşma hedefinde. Bu durum, maksimum 3,25 TB/s veri transferine denk geliyor. Mevcut HBM3e ile kıyaslandığında yaklaşık 2,5 kat daha yüksek bir hız sağlanacak. Ayrıca, güç verimliliğinde iki kat daha fazla iyileşme bekleniyor. Yeni nesil HBM4e, HBM3e’nin bit başına 3,9 piko-joul enerji tüketiminin yarısından daha az bir güç tüketimi öngörüyor.
Nvidia, yeni nesil yapay zeka hızlandırıcısı için mevcut JEDEC HBM4 standardının 8 Gbps/pin (2 TB/s) sınırını aşma arayışındaydı ve Samsung, SK hynix ile Micron’dan 10 Gbps’in üstünde hız talepleri etmişti. Bu hedefler, bu talepler sonrası şekillendi.
HBM4 stratejisi yeniden şekilleniyor
Chosun Daily’nin haberine göre, Samsung HBM4’ün seri üretimine geçiş sürecini hızlandırmak için önemli bir stratejik değişim planlıyor. Şirketin, 1c DRAM verim iyileştirme ekibini dağıtarak kaynaklarını HBM4’ün erken kitlesel üretimine yönlendirmeyi düşündüğü ifade ediliyor. Bu adım, Samsung’un Nvidia’nın tedarik zincirine dahil olma ve pazar payı kazanma hedefine katkı sağlıyor.
TrendForce’un analizine göre, üç büyük tedarikçi arasında en iddialı adımı atan Samsung, 2024 yılında HBM4’ün temel kalıp üretim sürecini FinFET 4 nm’ye taşımayı planlıyor ve yıl sonuna kadar hacimli üretime geçmeyi hedefliyor. Aktarım hızlarının 10 Gbps seviyesine ulaşması beklenirken, bu hız sınıfındaki üretim payının SK hynix ve Micron’un önünde olacağı tahmin ediliyor. HBM4e’nin 2027 yılında piyasaya sürülmesi öngörülüyor.
